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多晶硅蚀刻液的制备方法及表面张力测试结果
来源:浙江奥首材料科技有限公司 浏览 617 次 发布时间:2024-11-20
在存储技术发展过程中,半导体存储具有存取速度快、功耗低、体积小、可靠性高等优势,广泛应用在电子设备中,并且正逐步取代机械硬盘成为主流存储器。其中闪存存储器以其单位面积内存储容量大、改写速度快等优点,正逐步取代机械硬盘成为大数据存储领域中的主角。其技术的发展也是朝着不断增大单位面积存储容量的方向发展,由二维到三维,再到不断地增加堆栈层数。
在3D堆叠过程中需要先将多晶硅蚀刻掉,形成凹槽。目前多晶硅蚀刻液体系主要分为碱性或酸性体系。碱性体系对多晶硅的蚀刻存在蚀刻速率慢、硅晶面选择性、蚀刻过程中会生成丘状形貌增加表面粗糙度高等问题。酸性体系可很好的解决上述问题,然而酸性体系中的氢氟酸会优先蚀刻二氧化硅层,所以酸性体系提升氧化硅与多晶硅的选择比是亟待解决的问题。
多晶硅蚀刻液的制备方法:
分别称取各自用量的各个组分,然后将超纯水、氢氟酸、氧化性酸、两亲性离子液体依次加入容器内,充分搅拌溶解,最后过滤,即得所述多晶硅蚀刻液。
其中,所述过滤可采用0.1-0.5μm滤芯过滤。
本发明的多晶硅蚀刻液实施例和对比例的制备方法:
多晶硅蚀刻液实施例1-7包含的组分及摩尔比如表1所示,多晶硅蚀刻液对比例1-3包含的组分及摩尔比如表2所示。按照下表1和表2分别称取各自用量的各个组分,然后将超纯水、氢氟酸、氧化性酸、两亲性离子液体依次加入容器内,充分搅拌溶解,最后采用0.5μm滤芯过滤,即得所述多晶硅蚀刻液。
表1:多晶硅蚀刻液的实施例1-实施例7
表2:多晶硅蚀刻液制备的对比例1-对比例3
表3:测试数据
关于性能测试与说明:
将含有两亲性离子液体的多晶硅蚀刻液用于3D存储芯片中的方法:
将所述多晶硅蚀刻液引入蚀刻槽内,然后使用该蚀刻液在25℃下浸泡该3D存储芯片,浸泡时间为6min,将所述蚀刻后3D存储芯片放入超纯水中冲洗至少两次,每次不得少于30s,即完成处理得到蚀刻后3D存储芯片。
性能1表面张力的测试方法为:
采用上述方法处理完成后,采用芬兰Kibron公司生产的表面张力仪在室温下分别对蚀刻液和经过0.5μm的滤芯过滤200次后的蚀刻液的表面张力进行测试,测试结果参见表3。
性能2蚀刻选择比测试方法为:
分别测定蚀刻液对氧化硅层以及多晶硅层的蚀刻速率,将氧化硅层蚀刻速率除以多晶硅层蚀刻速率,即可得蚀刻选择比。
在本发明中,使用的超纯水均为电阻至少为18MΩ的去离子水。
关于测试结果的分析说明:
基于表3可以看出,对比例1和实施例1的区别仅在于两亲性离子液体不同,其中,对比例1采用常规的N-乙基全氟辛基磺酰胺乙醇作为表面活性剂,导致表面张力增加,蚀刻选择比降低。对比例2未加入1,1,2,2,3,3-六氟丙烷-1,3-二磺酸亚胺锂,无法调节蚀刻速率。对比例3单独采用1,1,2,2,3,3-六氟丙烷-1,3-二磺酸亚胺锂作为表面活性剂,导致表面张力增加,蚀刻选择比降低,而本发明合成的离子液体同时具有多氟基团、环状结构、多羟基,能够显著降低表面张力,同时提高蚀刻选择比。
通过说明书附图做进一步对比说明:
对制备例1的两亲性离子液体进行红外测试,测试结果参见图1。
从图1可以看出,在3433cm-1处为-OH的伸缩振动峰,在3030 cm-1为甲基的伸缩振动吸收峰,在2980 cm-1,2845 cm-1处为亚甲基的不对称伸缩振动和对称伸缩振动,1431cm-1是亚甲基C-H的面内弯曲振动吸收峰,1378cm-1处的峰属于胺类C-N单键的伸缩振动吸收峰,1095 cm-1、1058 cm-1处的峰为S=O的不对称和对称的伸缩振动,综上说明已成功合成离子液体表面活性剂。