本发明涉及一种晶片干洗系统，更详细地说，涉及一种能够提高对晶片的干燥效率的马兰戈尼型(MARANGONI)TYPE)干洗系统。马兰戈尼型干燥剂系统，可以提高晶片的干燥效率。

上述干燥剂系统将低表面张力的异丙醇蒸气喷射到晶片的表面，使存在于上述晶片表面的去离子水干燥，干洗系统配备充有去离子水的壳体及充有异丙醇的液罐，壳体内内置晶片，所述液罐设有产生异丙醇蒸气的泡泡器，壳体的上部安装有内置第一散流器的引擎盖，所以壳体的两侧部分别安装有第二和第三散流器。第一至第三散流器收纳所述异丙醇蒸气，分别向晶片的上部及两侧部喷射，异丙醇蒸气由来自氮源的套利性氮气传递到所述第一至第三间杂波，异丙醇蒸气由上述第一至第三散流器向晶片的上部及两侧部喷射，从而提高了对晶片的干燥效率。

为了提高半导体元件的质量，必须通过清洗工艺，由于上述脱离子水具有溶解硅的性质，必须完全干燥晶片，以避免在清洗工艺后形成脱离子水中的水斑（WATER SPOT）。为了提高对上述晶片的干燥效率，近年来采用了利用马兰戈尼效应(MARANGONI)EFFECT)的干燥方法，马兰戈尼干燥方法是在一个液区存在两个不同表面张力区的情况下，利用液从表面张力小的区域向表面张力大的区域流动的原理对晶片进行干燥。

图1显示以往晶片干燥用马兰戈尼型干燥剂系统结构的概略图

如图1中所城示的那样，以往晶片干洗系统具有内置晶片的壳体和充有异丙基醇(IPA)的液罐，壳体的内部充有去离子水(DIW)，所述液罐内设有产生异丙醇蒸气的冒泡器，在壳体的上部，安装有散流器的引擎盖。

图2是用于显示上述壳体和引擎盖的内部结构的侧剖面图。如城市在图2中的吧台，在上述壳体的两侧壁上形成了用于引导上述晶片上下移动的引导槽，所述晶片布置在所述导向槽内并上下移动，因此，所述晶片的上下移动沿着所述导向槽稳定地进行。

图3是截取图2的A-A部的剖面图

参照图3，在所述引擎盖的底面上形成了用于破断移至所述壳体上部的晶片的系合槽。所述系合槽用于使已完成干燥工艺的晶片与所述壳体分离；该小定位置形成了一个喷射孔，该喷射孔将从上述散裂器喷射的异丙基醇蒸气引导到上述壳体内。

首先，当利用去离子水的清洗工序完成后，针对晶片的干燥工序启动时，升降机被驱动，使上述晶片从去离子水慢慢向上移动。如以上所述，根据本发明的晶片干洗系统在晶片的表面均匀地添加了异丙基，采用醇基蒸气喷射，具有使用适量异丙基醇蒸气使晶片干燥良好的优点。此外，根据本发明的晶片干洗系统利用马兰戈尼效应去除晶片表面存在的脱二热水，因此在干燥工艺完成后晶片上不会出现水斑等；使优质的半导体元件生产成为可能。以上说明了本发明参考可取的实施例，在本发明的技术思想范畴内，可以进行各种改良或变形，而这些改良或变形也属于本发明，这一点，是可以认知的，为了克服上述以往技术中存在的问题，目的是提供能够提高晶片干燥效率的马兰戈尼型干燥剂系统。